本研究采用绝缘体上硅（Silicon‐On‐Insulator，SOI）技术刻蚀制作的芯片级腔光力加速度计作为实验的光机械系统。通过调节光纤耦合状态改变腔内光场模态体积，实现光机械耦合强度的可控性。验证强互锁状态下机械品质因数（Q值）的提升及系统底噪的抑制效果。开发高灵敏度的腔光力加速度传感器，目标频段为千赫兹范围。

　　1、光学系统：激光源（工作波长1510nm）、光纤偏振控制器（FPC）、V型光纤锥（透射率90%）。光电探测器（PD）、电子频谱仪（ESA）、数据采集卡（DAQ）。

　　3、核心器件：硅基二维光子晶体谐振腔（尺寸16μm×10μm，晶格常数510nm）。高压放大器（用于驱动压电陶瓷产生加速度信号）。

　　注：①激光源；②光纤跳线；③三环偏振控制器；④真空光纤法兰；⑤真空腔；⑥光电探测器；⑦频谱仪；⑧真空排针；⑨电压源；⑩波形发生器；⑪高压放大器；⑫射频跳线；⑬数据采集器；⑭计算机；⑮显微镜；⑯点光源；⑰真空计。

　　（2）监测自脉冲振荡（1510.40–1511.06nm）与光机械自持续振荡（1511.06–1511.86nm）的共存状态，自脉冲振荡和光机械共振共存的过渡状态光学特性如图2所示。

　　（1）在强互锁模式下，施加6kHz交流加速度激励，记录机械谱响应。图3显示了强互锁模式下的光机械传感响应，其中，黑线）表示静止状态下光机械传感器的功率谱密度，而6kHz处的蓝线）和红线）则表示在施加不同幅值的6kHz交流加速度后的机械谱。

　　（2）通过频谱分析计算灵敏度，并对比弱/强互锁状态的Q值与底噪差异，对其进行线kHz处加速度计的灵敏度为126.58mV/g如图4所示。

　　实验结果：1、Q值提升：强互锁状态下机械Q值较弱互锁状态提升约10倍。2、噪声抑制：系统底噪降低26dB。3、灵敏度：加速度传感器在6kHz下达到126.58mV/g的灵敏度。4、光机械锁定：功实现低频（72.2kHz）光机械共振与自脉冲的互锁。

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